相信不少玩家也都记得，
intel在去年9月于旧金山举行的IDF上展示了一颗能用太阳能电池驱动的超低功耗处理器。本周IEEE召开的半导体
技术会议ISSCC 2012上Intel正式公布了这一
cpu的
技术细节。
除3D Tri-Gate晶体管外，ISSCC上Intel着重推介的是近阈值电压（Near-Threshold Voltage）
技术。目前的CPU在核心电压降至一定水准以后根本无法启动，给低电压低功耗处理器的研发带来了一定困难，而Intel的近阈值电压
技术使得逻辑电路中的器件在超低电压下仍能正常运转。
IDF上Intel展示的处理器是采用32纳米工艺制程打造的——Pentium（没错，不过不知道是P54C还是P55C），代号为Claremont，比起当年所使用的0.35微米工艺先进了N倍。近阈值电压
技术使得Claremont的核心电压最低可降至280mV，此时核心频率为3MHz和8086/8088时代有一拼，功耗也低至只有2mW；而核心电压/核心频率最高为1.2V/915MHz。
此外，Intel还分享了利用NTV
技术的可变精度浮点计算模块，以及22nm 3D Tri-Gate晶体管图形引擎，均能使能耗比提高7-9倍。
近阈值电压
技术细节
去年Intel展示的用太阳能电池驱动的系统
